சுருக்கம்

Synthesis of Si3N4 in the nanopores of silica gel matrix by in-situ generation of nitrogen

D.K.Mandala, S.Mukherjee, G.C.Das, K.K.Chattopadhyay, M.K.Mitra


Nanosized silicon nitride has been prepared reacting tetraethyl-orthosilicate, n-decanol and ammonium nitrate at temperatures between 800 and 10000C under argon atmosphere. An innovative technique has been used for the synthesis of silicon nitride by in-situ generation of nitrogen through a solgel route. The structure and phase composition have been characterized by infrared spectroscopy, transmission electron microscopy and X-ray diffraction. The average particle size of Si3N4 was in the range 6-12nmunder various reaction conditions. The probable reaction mechanism of Si3N4 formation is also deduced.


குறியிடப்பட்டது

  • CASS
  • கூகுள் ஸ்காலர்
  • ஜே கேட் திறக்கவும்
  • சீனாவின் தேசிய அறிவு உள்கட்டமைப்பு (CNKI)
  • CiteFactor
  • காஸ்மோஸ் IF
  • எலக்ட்ரானிக் ஜர்னல்ஸ் லைப்ரரி
  • டைரக்டரி ஆஃப் ரிசர்ச் ஜர்னல் இன்டெக்சிங் (DRJI)
  • ரகசிய தேடுபொறி ஆய்வகங்கள்
  • ICMJE

மேலும் பார்க்க

ஜர்னல் எச்-இண்டெக்ஸ்

Flyer