அனலிட்டிகல் கெமிஸ்ட்ரி: ஒரு இந்தியன் ஜர்னல்
ISSN (PRINT): 0974-7419

சுருக்கம்

Semiconductor diodes for measurement of low temperatures

S.B.Ota, Smita Ota


The forward voltage of Si and GaAlAs diodes have been studied in the temperature range 10-300 K and for various current values (10 nA to 0.5 mA). The temperature sensitivity of these diodes have been obtained. Flicker 1/f noise has been observed in the GaAlAs diode. Possible use of GaAlAs diode for measurement of mK temperatures has been suggested. For Si diode the ‘reduced’ forward voltage at T=0 is found to be 1.0 V.


மறுப்பு: இந்த சுருக்கமானது செயற்கை நுண்ணறிவு கருவிகளைப் பயன்படுத்தி மொழிபெயர்க்கப்பட்டது மற்றும் இன்னும் மதிப்பாய்வு செய்யப்படவில்லை அல்லது சரிபார்க்கப்படவில்லை

குறியிடப்பட்டது

  • CASS
  • கூகுள் ஸ்காலர்
  • ஜே கேட் திறக்கவும்
  • சீனாவின் தேசிய அறிவு உள்கட்டமைப்பு (CNKI)
  • CiteFactor
  • காஸ்மோஸ் IF
  • எலக்ட்ரானிக் ஜர்னல்ஸ் லைப்ரரி
  • டைரக்டரி ஆஃப் ரிசர்ச் ஜர்னல் இன்டெக்சிங் (DRJI)
  • ரகசிய தேடுபொறி ஆய்வகங்கள்
  • ICMJE

மேலும் பார்க்க

ஜர்னல் ISSN

ஜர்னல் எச்-இண்டெக்ஸ்

Flyer

அணுகல் இதழ்களைத் திறக்கவும்