அனலிட்டிகல் கெமிஸ்ட்ரி: ஒரு இந்தியன் ஜர்னல்
ISSN (PRINT): 0974-7419

சுருக்கம்

Observation of flicker 1/f noise in YBa2Cu3O7 and GaAlAs diode

S.B.Ota, Smita Ota


Polycrystalline YBa2Cu3O7-x near TC (70-95 K) and GaAlAs semiconductor diode in the temperature range 50-300 K has been studied. The measured dc voltages in these systems show fluctuations and the standard deviations of the voltage values show the statistics of flicker 1/f noise. In YBa2Cu3O7-x the measured dc voltages showed increased noise near TC which is possibly related to the 1/f noise due to the motion of vortex lattice. The 1/f noise in GaAlAS diode is found to be temperature independent but current dependent. It is found to increase with decrease in forward current below 0.01 mA.


குறியிடப்பட்டது

  • CASS
  • கூகுள் ஸ்காலர்
  • ஜே கேட் திறக்கவும்
  • சீனாவின் தேசிய அறிவு உள்கட்டமைப்பு (CNKI)
  • CiteFactor
  • காஸ்மோஸ் IF
  • எலக்ட்ரானிக் ஜர்னல்ஸ் லைப்ரரி
  • டைரக்டரி ஆஃப் ரிசர்ச் ஜர்னல் இன்டெக்சிங் (DRJI)
  • ரகசிய தேடுபொறி ஆய்வகங்கள்
  • ICMJE

மேலும் பார்க்க

ஜர்னல் ISSN

ஜர்னல் எச்-இண்டெக்ஸ்

Flyer

அணுகல் இதழ்களைத் திறக்கவும்