அனலிட்டிகல் கெமிஸ்ட்ரி: ஒரு இந்தியன் ஜர்னல்
ISSN (PRINT): 0974-7419

சுருக்கம்

Fabrication and electrical properties of FTO Nano-particles/Nanocrystal porous silicon heterojunction under gamma radiation effect

Hasan A.Hadi


In this paper porous silicon layer was papered by photo electrochemical etching PECE with laser assisted and the FTO thin filmdeposited on porous silicon layer substrates by spray pyrolysis technique. To study the effect of gamma radiation on electrical and photocurrent characteristics’ of fluoride tin oxides /porous silicon /mono crystalline silicon n-type heterojunction was exposed to 60 Co-ray sources at roomtemperature. The FTO/PS/n-Si/Al heterojunction was study using I – V and C–2 – V measurements, with focus on the influence of the duration gamma radiation on the electrical properties.


மறுப்பு: இந்த சுருக்கமானது செயற்கை நுண்ணறிவு கருவிகளைப் பயன்படுத்தி மொழிபெயர்க்கப்பட்டது மற்றும் இன்னும் மதிப்பாய்வு செய்யப்படவில்லை அல்லது சரிபார்க்கப்படவில்லை

குறியிடப்பட்டது

  • CASS
  • கூகுள் ஸ்காலர்
  • ஜே கேட் திறக்கவும்
  • சீனாவின் தேசிய அறிவு உள்கட்டமைப்பு (CNKI)
  • CiteFactor
  • காஸ்மோஸ் IF
  • எலக்ட்ரானிக் ஜர்னல்ஸ் லைப்ரரி
  • டைரக்டரி ஆஃப் ரிசர்ச் ஜர்னல் இன்டெக்சிங் (DRJI)
  • ரகசிய தேடுபொறி ஆய்வகங்கள்
  • ICMJE

மேலும் பார்க்க

ஜர்னல் ISSN

ஜர்னல் எச்-இண்டெக்ஸ்

Flyer

அணுகல் இதழ்களைத் திறக்கவும்