சுருக்கம்

Electric Properties Of BiFeO3 Modified PZT Solid Solution Films Prepared By Sol-Gel Process

Hongri Liu, Zuli Liu, Qing Liu, Xingao Li, Kailun Yao


(PbZr0.5Ti0.5O3)x-(BiFeO3)1-x films have been prepared on LaNiO3/SiO2/ Si substrates by sol-gel process at an annealing temperature of 600°C. Xray diffraction patterns indicate that the samples show (110) preferred orientation or random orientation according to the x and no impure phase was observed for all films. The study of ferroelectricity shows that the saturated polarizations are enhanced by the incorporation of BiFeO3. Remnant polarization of 33.7 μC/cm2, 36.8 μC/cm2, 34.4 μC/cm2 and 37.6 μC/cm2 are observed for the films with x=0 to 0.20. In addition, dielectric properties were enhanced through the solid solution with BiFeO3. Leakage conduction was also increased by the incorporation of BiFeO3. ï›™ 2006 Trade Science Inc. - INDIA


குறியிடப்பட்டது

  • CASS
  • கூகுள் ஸ்காலர்
  • ஜே கேட் திறக்கவும்
  • சீனாவின் தேசிய அறிவு உள்கட்டமைப்பு (CNKI)
  • CiteFactor
  • காஸ்மோஸ் IF
  • எலக்ட்ரானிக் ஜர்னல்ஸ் லைப்ரரி
  • டைரக்டரி ஆஃப் ரிசர்ச் ஜர்னல் இன்டெக்சிங் (DRJI)
  • ரகசிய தேடுபொறி ஆய்வகங்கள்
  • ICMJE

மேலும் பார்க்க

ஜர்னல் எச்-இண்டெக்ஸ்

Flyer