அனலிட்டிகல் கெமிஸ்ட்ரி: ஒரு இந்தியன் ஜர்னல்
ISSN (PRINT): 0974-7419

சுருக்கம்

Calibration of GaAlAs semiconductor diode for temperatures between 10-300 K

S.B.Ota, Smita Ota


The forward voltage of GaAlAs semiconductor diode has been measured for temperatures between 10-300 K and for current values between 10 nA and 450 A. The forward voltage as a function of temperature is least-squares fitted in two temperature ranges 10-22 K and 50-300 K. The coefficients are given for 2nd  order polynomials.


மறுப்பு: இந்த சுருக்கமானது செயற்கை நுண்ணறிவு கருவிகளைப் பயன்படுத்தி மொழிபெயர்க்கப்பட்டது மற்றும் இன்னும் மதிப்பாய்வு செய்யப்படவில்லை அல்லது சரிபார்க்கப்படவில்லை

குறியிடப்பட்டது

  • CASS
  • கூகுள் ஸ்காலர்
  • ஜே கேட் திறக்கவும்
  • சீனாவின் தேசிய அறிவு உள்கட்டமைப்பு (CNKI)
  • CiteFactor
  • காஸ்மோஸ் IF
  • எலக்ட்ரானிக் ஜர்னல்ஸ் லைப்ரரி
  • டைரக்டரி ஆஃப் ரிசர்ச் ஜர்னல் இன்டெக்சிங் (DRJI)
  • ரகசிய தேடுபொறி ஆய்வகங்கள்
  • ICMJE

மேலும் பார்க்க

ஜர்னல் ISSN

ஜர்னல் எச்-இண்டெக்ஸ்

Flyer

அணுகல் இதழ்களைத் திறக்கவும்